在制作高强度零部件时，如果是低碳钢，也有在淬火状态下进行使用的情况。添加Si可以抑制氢的渗入，提高延迟断裂特性（这里指断裂时间）。在淬火状态下碳化物不会析出，作为氢的俘获位置只有位错和晶界，位错是根据X射线衍射的晶格畸变进行评价，晶界是根据晶粒度的测定，晶界面积的计算后进行评价。添加Si后，氢的俘获位置会减少，抑制了氢的渗入。在Si含量高的情况下，相变点会升高，因此要提高淬火温度。结果，原始奥氏体晶粒度会增大。虽然晶粒度增大到与高Si钢相同，但晶格畸变并没有相应减小，延迟断裂特性也没有大的变化。由此可以认为，影响淬火状态下的延迟断裂特性的主要因素是位错的减少因素大于晶界的减少因素。